Dependence of the carrier removal rate in 4H-SIC PN structures on irradiation temperature
autor
Lebedev, Alexander A.
Davydovskaya, Klavdya S.
Kozlovski, Vitali V.
Korolkov, Oleg
Sleptsuk, Natalja
Toompuu, Jana
vastutusandmed
Alexander A. Lebedev, Klavdya S. Davydovskaya, Vitali V. Kozlovski, Oleg Korolkov, Natalja Sleptsuk, Jana Toompuu
allikas
Silicon Carbide and Related Materials 2018 : 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018) : Selected, peer reviewed papers from the European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018), September 2-6, 2018,Birmingham, UK
ilmumiskoht
Zurich
kirjastus/väljaandja
Trans Tech Publications
ilmumisaasta
2019
leheküljed
p. 730-733
seeria-sari
Materials science forum ; 963
konverentsi nimetus, aeg
12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018) 2-6 September 2018
konverentsi toimumispaik
Birmingham, UK
leitav
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.963.730
märksõna
kiiritus
temperatuur
rikked
kiirgus
prootonid
Scopus
Conference proceeding at Scopus
Article at Scopus
kvartiil
Q4
kategooria (üld)
Engineering
en
Tehnika
et
Materials science
en
Materjaliteadus
et
Physics and astronomy
en
Füüsika ja astronoomia
et
kategooria (alam)
Engineering. Mechanical engineering
en
Tehnika. Masinaehitus
et
Materials science. General materials science
en
Materjaliteadus. Üldine materjaliteadus
et
Engineering. Mechanics of materials
en
Tehnika. Materjalide mehaanika
et
Physics and astronomy. Condensed matter physics
en
Füüsika ja astronoomia. Kondenseeritud aine füüsika
et
võtmesõna
carrier removal rate
DLTS
JBS diodes
proton irradiation
radiation defects
ISSN
0255-5476
ISBN
978-303571332-9
märkused
Bibliogr.: 7 ref
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
klassifikaator
3.1
TTÜ struktuuriüksus
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
keel
inglise