Исследование p-n-переходов на основе 4H-SiC, изготовленных имплантацией бора, методом нестационарной емкостной спектроскопии
autor
Ivanov, Pavel
Potapov, Alexander
Samsonova, Tatyana
Korolkov, Oleg
Sleptšuk, Natalja
vastutusandmed
П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, O. Korol’kov, N. Sleptsuk
allikas
Физика и техника полупроводников
ajakirja aastakäik number kuu
Том 45, 10
ilmumisaasta
2011
leheküljed
с. 1358-1362 : ил
märksõna
pooljuhtseadised
ränikarbiid
spektroskoopia
märkused
Библиогр.: 13 назв
retsensioon
Summary: DLTS study of 4H-SiC based p−n junctions fabricated by boron implantation
keel
vene