A theoretical study of electron drift mobility anisotropy in n-type 4H- and 6H-SiC
autor
Velmre, Enn
Udal, Andres
vastutusandmed
Enn Velmre and Andres Udal
allikas
Materials science forum
kirjastus/väljaandja
Trans Tech Publications
ilmumisaasta
2000
leheküljed
p. 725-728
märksõna
ränikarbiid
elektronid
anisotroopia
ISSN
1662-9752
märkused
Ilmunud ka: Proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999 (ICSCRM'99) : Research Triangle Park, North-Carolina, USA, Oct. 10-15, 1999. Vol. 1
TTÜ struktuuriüksus
elektroonikainstituut
keel
inglise