Strain relaxation mechanism in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties
autor
Kropman, Daniel
Mellikov, Enn
Öpik, Andres
Lott, Kalju
Volobujeva, Olga
Kärner, T.
Heinmaa, I.
Laas, Tõnu
Medvid, A.
vastutusandmed
D.Kropman, E.Mellikov, A.Öpik, K.Lott, O.Volobujeva, T.Kärner, I.Heinmaa, T.Laas and A.Medvid
allikas
Physica B : condensed matter
ajakirja aastakäik number kuu
404
ilmumisaasta
2009
leheküljed
23/24, p. 5153-5155 : ill
leitav
Strain relaxation mechanism in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties
märksõna
pinged (füüsika)
räni
ränidioksiid
kiled
oksüdatsioon
elektroni paramagnetresonantsspektroskoopia
ISSN
0921-4526
märkused
Bibliogr.: 5 ref
keel
inglise