Simulations of heterostructures based on 3C-4H and 6H-4H silicon carbide polytypes
autor
Rashid, Muhammad Haroon
Koel, Ants
Rang, Toomas
vastutusandmed
M. Haroon Rashid, Ants Koel and Toomas Rang
allikas
Silicon carbide and related materials 2017 : ICSCRM 2017 : selected, peer reviewed papers from the 2017 International Conference on Silicon Carbide and related materials, September 17-22, 2017, Washington, DC, USA
ilmumiskoht
Zurich
kirjastus/väljaandja
Trans Tech Publications
ilmumisaasta
2018
leheküljed
p. 302-305 : ill
seeria-sari
Materials science forum ; 924
konverentsi nimetus, aeg
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017), September 17-22, 2017
konverentsi toimumispaik
Washington, DC, USA
leitav
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.924.302
märksõna
pooljuhtstruktuurid
karbiidid
ränikarbiid
Scopus
https://www.scopus.com/sourceid/28700
https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85049022397&origin=inward&txGid=431a5ddd113d435bad943ef29ceddde9
kvartiil
Q4
kategooria (üld)
Engineering
Tehnika
Materials science
Materjaliteadus
Physics and astronomy
Füüsika ja astronoomia
kategooria (alam)
Engineering. Mechanical engineering
Tehnika. Masinaehitus
Materials science. General materials science
Materjaliteadus. Üldine materjaliteadus
Engineering. Mechanics of materials
Tehnika. Materjalide mehaanika
Physics and astronomy. Condensed matter physics
Füüsika ja astronoomia. Kondenseeritud aine füüsika
võtmesõna
3C-SiC
4H-SiC
6H-SiC
direct bonding
heterostructures
polytype
ISSN
0255-5476
ISBN
978-3-0357-1145-5
märkused
Bibliogr.: 11 ref
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
klassifikaator
3.1
TTÜ struktuuriüksus
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
keel
inglise
Uurimisrühm
Kognitiivelektroonika kiiplaborite uurimisgrupp
Kognitroonika teaduslabor