Rajput Priti, J., Patankar, U.S, Koel, A., Nitnaware, V.N.

prindi

Review of - SiC wide-bandgap heterostructure properties as an alternate semiconductor material

autor

Patankar, Udayan Sunil

Rajput Priti, J.

Koel, Ants

Nitnaware, V.N.

vastutusandmed

Rajput Priti J., Udayan S. Patankar, Ants Koel, and V.N. Nitnaware

allikas

International Conference on Inventive Research in Material Science and Technology, ICIRMCT 2018 : March 23-24, 2018

ilmumiskoht

[S.l.]

kirjastus/väljaandja

AIP

ilmumisaasta

2018

leheküljed

art. 020011

seeria-sari

AIP Conference Proceedings ; 1966, 1

konverentsi nimetus, aeg

International Conference on Inventive Research in Material Science and Technology : ICIRMCT 2018 : March 23-24, 2018

konverentsi toimumispaik

Coimbatore, India

leitav

https://doi.org/10.1063/1.5038690

märksõna

räni

pooljuhid

silikoonid

luminestsents

fotoluminestsents

Scopus

Conference proceedings at Scopus

Article at Scopus

WOS

Article at WOS

kvartiil

kategooria (üld)

Füüsika ja astronoomia

kategooria (alam)

Füüsika ja astronoomia. Üldfüüsika ja astronoomia

ISSN

0094243X

ISBN

978-073541671-0

märkused

Bibliogr.: 24 ref

teaduspublikatsioon

klassifikaator

3.1

TTÜ struktuuriüksus

Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut

keel

inglise

Uurimisrühm

Kognitiivelektroonika kiiplaborite uurimisgrupp

Kognitroonika teaduslabor

Rajput Priti, J., Patankar, U.S, Koel, A., Nitnaware, V.N. Review of - SiC wide-bandgap heterostructure properties as an alternate semiconductor material // International Conference on Inventive Research in Material Science and Technology, ICIRMCT 2018 : March 23-24, 2018. [S.l.] : AIP, 2018. art. 020011. (AIP Conference Proceedings ; 1966, 1). https://doi.org/10.1063/1.5038690