Определение равновесия дефектов в легированных бинарных полупроводниковых соединениях
autor
vastutusandmed
Л.И. Тюрн
ilmumiskoht
Таллин
kirjastus/väljaandja
ilmumisaasta
leheküljed
с. 43-51 : илл
seeria-sari
seeria variantpealkiri
leitav
ISSN
0136-3549
0320-3395
märkused
Библиогр. : 6 назв
Summary: Equilibrium of defects in binary doped semiconductors
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
TTÜ struktuuriüksus
keel
vene
märksõna
TTÜ märksõna
klassifikaator
Тюрн, Л.И. Определение равновесия дефектов в легированных бинарных полупроводниковых соединениях // Физическая химия соединений AIIBVI. Таллин : Таллинский политехнический институт, 1981. с. 43-51 : илл. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института ; 515, Полупроводниковые материалы ; 4).