Времена жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках с учетом Оже-процессов на локализованных состояниях

vastutusandmed
А. Опоцкий
ilmumiskoht
Таллин
ilmumisaasta
leheküljed
с. 134-148 : ил
ISSN
0136-3549
3134-3823
märkused
Библиогр. : 7 назв
Abstract: Lifetime of the minority charge carriers in semiconductors with calculation of the Auger-processes on localized states
Kokkuvõte: Vähemus-laengukandjate eluiga pooljuhis Auger`-protseesside arvestamisega lokaalsetes olekutes
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
TTÜ struktuuriüksus
keel
vene
Опоцкий, А. Времена жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках с учетом Оже-процессов на локализованных состояниях // Машинное проектирование электронных устройств и систем. Таллин : Таллинский политехнический институт, 1988. с. 134-148 : ил. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института = Transactions of Tallinn Technical University ; 674, Электротехника и автоматика ; 35). https://www.ester.ee/record=b1256708*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/2e6337b1-2222-4e66-98fb-89178f835390