Otsing - TalTech teadusportaal

Numerical calculations of transient characteristics of a vertical field effect phototransistor taking into account resistance on the gate (pealkiri)

—

—

Lisa tingimus Lihtotsing filter

Tühista

teaviku laadid

raamat ..

artikkel ajakirjas ..

artikkel ajalehes ..

artikkel kogumikus ..

dissertatsioon ..

Open Access ..

Teaduspublikatsioon ..

aasta

Toon andmeid..

Toon andmeid..

TTÜ struktuuriüksus

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Tühista

ekspordi kõik päringu tulemused (1)
Salvesta TXT fail

prindi
Märgitud kirjetega toimetamiseks ava valitud kirjed

kuva

reasta
1

artikkel kogumikus

Numerical calculations of transient characteristics of a vertical field effect phototransistor taking into account resistance on the gateAbashkina, S.; Rimshans, J.; Korolkov, V.I.; Tabarov, T.Automation, simulation & measurement : 3rd biennal conference : Tallinn, Estonia, October 7-11, 1991. Section S, Simulation = Automatiseerimine, modelleerimine ja mõõtmine : 3. rahvusvaheline konverents / Tallinna Tehnikaülikool1992 / p. 83-88: ill https://www.ester.ee/record=b1064031*est

artikkel kogumikus

Kirjeid leitud 1, kuvan 1 - 1