Otsing - TalTech teadusportaal

Degradation of 600-V 4H-SiC Schottky diodes under irradiation with 0.9 MeV electrons (pealkiri)

—

—

—

—

Lisa tingimus Liitotsing filter

Tühista

teaviku laadid

raamat ..

artikkel ajakirjas ..

artikkel ajalehes ..

artikkel kogumikus ..

dissertatsioon ..

Open Access ..

Teaduspublikatsioon ..

aasta

Toon andmeid..

Toon andmeid..

TTÜ struktuuriüksus

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Tühista

ekspordi kõik päringu tulemused (1)
Salvesta TXT fail

prindi
Märgitud kirjetega toimetamiseks ava valitud kirjed

kuva

reasta
1

artikkel kogumikus EST / artikkel kogumikus ENG

Degradation of 600-V 4H-SiC Schottky diodes under irradiation with 0.9 MeV electronsLebedev, Alexander A.; Davidovskaja, Klavdia; Kozlovski, Vitali V.; Korolkov, Oleg; Sleptšuk, Natalja; Toompuu, JanaSilicon Carbide and Related Materials 2016 : selected, peer reviewed papers from the 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016 (ECSCRM 2016), September 25-29, 2016, Halkidiki, Greece2017 / p. 447-450 : ill https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.897.447 Conference proceedings at Scopus Article at Scopus

artikkel kogumikus EST / artikkel kogumikus ENG

Kirjeid leitud 1, kuvan 1 - 1