Otsing - TalTech teadusportaal

Low-temperature annealing of lightly doped n-4H-SiC layers after irradiation with fast electrons (pealkiri)

—

—

—

—

Lisa tingimus Liitotsing filter

Tühista

teaviku laadid

raamat ..

artikkel ajakirjas ..

artikkel ajalehes ..

artikkel kogumikus ..

dissertatsioon ..

Open Access ..

Teaduspublikatsioon ..

aasta

Toon andmeid..

Toon andmeid..

TTÜ struktuuriüksus

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Tühista

ekspordi kõik päringu tulemused (1)
Salvesta TXT fail

prindi
Märgitud kirjetega toimetamiseks ava valitud kirjed

kuva

reasta
1

artikkel ajakirjas EST / artikkel ajakirjas ENG

Low-temperature annealing of lightly doped n-4H-SiC layers after irradiation with fast electronsKorolkov, Oleg; Kozlovski, Vitali V.; Lebedev, Alexander A.; Sleptšuk, Natalja; Toompuu, Jana; Rang, ToomasSemiconductors2019 / p. 975−978 https://doi.org/10.1134/S1063782619070133 Journal metrics at Scopus Article at Scopus Journal metrics at WOS Article at WOS

artikkel ajakirjas EST / artikkel ajakirjas ENG

Kirjeid leitud 1, kuvan 1 - 1