Otsing - TalTech teadusportaal

Characterization of silicon carbide (SiC) and graphene-based novel semiconductor devices = Ränikarbiidil (SiC) ja grafeenil pōhinevate uudsete pooljuhtstruktuuride karakteriseerimine (pealkiri)

—

—

—

—

Lisa tingimus Liitotsing filter

Tühista

teaviku laadid

raamat ..

artikkel ajakirjas ..

artikkel ajalehes ..

artikkel kogumikus ..

dissertatsioon ..

Open Access ..

Teaduspublikatsioon ..

aasta

Toon andmeid..

Toon andmeid..

TTÜ struktuuriüksus

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Tühista

ekspordi kõik päringu tulemused (1)
Salvesta TXT fail

prindi
Märgitud kirjetega toimetamiseks ava valitud kirjed

kuva

reasta
1

dissertatsioon

Characterization of silicon carbide (SiC) and graphene-based novel semiconductor devices = Ränikarbiidil (SiC) ja grafeenil pōhinevate uudsete pooljuhtstruktuuride karakteriseerimineRashid, Muhammad Haroon2021 https://www.ester.ee/record=b5397240*est https://digikogu.taltech.ee/et/Item/a64fd50e-125c-49ad-b0a6-6ad2e01b8bfa https://doi.org/10.23658/taltech.6/2021

dissertatsioon

Kirjeid leitud 1, kuvan 1 - 1