Otsing - TalTech teadusportaal

Dependence of the carrier removal rate in 4H-SIC PN structures on irradiation temperature (pealkiri)

—

—

—

—

Lisa tingimus Liitotsing filter

Tühista

teaviku laadid

raamat ..

artikkel ajakirjas ..

artikkel ajalehes ..

artikkel kogumikus ..

dissertatsioon ..

Open Access ..

Teaduspublikatsioon ..

aasta

Toon andmeid..

Toon andmeid..

TTÜ struktuuriüksus

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Tühista

ekspordi kõik päringu tulemused (1)
Salvesta TXT fail

Salvesta PDF fail

prindi
Märgitud kirjetega toimetamiseks ava valitud kirjed

kuva

reasta
1

artikkel kogumikus EST / artikkel kogumikus ENG

Dependence of the carrier removal rate in 4H-SIC PN structures on irradiation temperatureLebedev, Alexander A.; Davydovskaya, Klavdya S.; Kozlovski, Vitali V.; Korolkov, Oleg; Sleptsuk, Natalja; Toompuu, JanaSilicon Carbide and Related Materials 2018 : 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018) : Selected, peer reviewed papers from the European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018), September 2-6, 2018,Birmingham, UK2019 / p. 730-733 https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.963.730 Conference proceeding at Scopus Article at Scopus

artikkel kogumikus EST / artikkel kogumikus ENG

Kirjeid leitud 1, kuvan 1 - 1