Otsing - TalTech teadusportaal

Change in the parameters of electron-irradiated 4H-SIC Schottky diodes as a function of the time during low-temperature isothermal annealing (pealkiri)

—

—

—

—

Lisa tingimus Liitotsing filter

Tühista

teaviku laadid

raamat ..

artikkel ajakirjas ..

artikkel ajalehes ..

artikkel kogumikus ..

dissertatsioon ..

Open Access ..

Teaduspublikatsioon ..

aasta

Toon andmeid..

Toon andmeid..

TTÜ struktuuriüksus

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Tühista

ekspordi kõik päringu tulemused (1)
Salvesta TXT fail

prindi
Märgitud kirjetega toimetamiseks ava valitud kirjed

kuva

reasta
1

artikkel kogumikus EST / artikkel kogumikus ENG

Change in the parameters of electron-irradiated 4H-SIC Schottky diodes as a function of the time during low-temperature isothermal annealingKorolkov, Oleg; Kozlovski, Vitali V.; Lebedev, Alexander A.; Toompuu, Jana; Sleptsuk, Natalja; Rang, ToomasSilicon Carbide and Related Materials 2018 : 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018) : Selected, peer reviewed papers from the European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018), September 2-6, 2018,Birmingham, UK2019 / p. 734-737 https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.963.734 Conference proceeding at Scopus Article at Scopus

artikkel kogumikus EST / artikkel kogumikus ENG

Kirjeid leitud 1, kuvan 1 - 1