Low-temperature annealing of lightly doped n-4H-SiC layers after irradiation with fast electrons
autor
Korolkov, Oleg
Kozlovski, Vitali V.
Lebedev, Alexander A.
Sleptšuk, Natalja
Toompuu, Jana
Rang, Toomas
vastutusandmed
O.M. Korolkov, V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, N. Sleptsuk, J. Toompuu, T. Rang
allikas
Semiconductors
kirjastus/väljaandja
Pleiades Publishing
ajakirja aastakäik number kuu
vol. 53, 7
ilmumisaasta
2019
leheküljed
p. 975−978
leitav
https://doi.org/10.1134/S1063782619070133
märksõna
temperatuuri toime
ränikarbiid
elektronid
ISSN
1063-7826
märkused
Bibliogr.: 14 ref
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
klassifikaator
1.1
Scopus
Journal metrics at Scopus
Article at Scopus
WOS
Journal metrics at WOS
Article at WOS
kategooria (üld)
Physics and astronomy
en
Füüsika ja astronoomia
et
Materials science
en
Materjaliteadus
et
kategooria (alam)
Physics and astronomy. Condensed matter physics
en
Füüsika ja astronoomia. Kondenseeritud aine füüsika
et
Materials science. Electronic, optical and magnetic materials
en
Materjaliteadus. Elektroonilised, optilised ja magnetilised materjalid
et
Physics and astronomy. Atomic and molecular physics, and optics
en
Füüsika ja astronoomia. Aatomi- ja molekulaarfüüsika ning optika
et
kvartiil
Q2
TTÜ struktuuriüksus
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
keel
inglise
Uurimisrühm
Kognitiivelektroonika kiiplaborite uurimisgrupp
Kognitroonika teaduslabor