Влияние дефектов эпитаксиального слоя на напряжение пробоя высоковольтных арсенид-галлиевых структур
author
statement of authorship
Г. Ашкинази, О. Золотаревская, Л. Мазо, А. Падьюс, Б. Мейлер
location of publication
Таллин
publisher
year of publication
pages
с. 64-66 : илл
subject term
TTÜ department
language
vene
Ашкинази, Г., Золотаревская, О., Мейлер, Б. и др. Влияние дефектов эпитаксиального слоя на напряжение пробоя высоковольтных арсенид-галлиевых структур // Полупроводники и гетеропереходы : сборник статей. Таллин : Валгус, 1978. с. 64-66 : илл.