Влияние дефектов эпитаксиального слоя на напряжение пробоя высоковольтных арсенид-галлиевых структур
autor
vastutusandmed
Г. Ашкинази, О. Золотаревская, Л. Мазо, А. Падьюс, Б. Мейлер
ilmumiskoht
Таллин
kirjastus/väljaandja
ilmumisaasta
leheküljed
с. 64-66 : илл
TTÜ struktuuriüksus
keel
vene
Ашкинази, Г., Золотаревская, О., Мейлер, Б. и др. Влияние дефектов эпитаксиального слоя на напряжение пробоя высоковольтных арсенид-галлиевых структур // Полупроводники и гетеропереходы : сборник статей. Таллин : Валгус, 1978. с. 64-66 : илл.