Электрофизические свойства тонкопленочных барьеров шоттки на основе сульфида кадмия, изготовленного методом химической пульверизации
location of publication
Таллин
publisher
year of publication
pages
с. 49-55
series
series variant title
TPI Toimetised ; 620
Труды ТПИ ; 620
TTÜ subject term
notes
Библиогр. : 6 назв
language
vene
Крункс, М.И., Мелликов, Э.Я., Сейлентхал, М.И. Электрофизические свойства тонкопленочных барьеров шоттки на основе сульфида кадмия, изготовленного методом химической пульверизации // Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов. Таллин : Таллинский политехнический институт, 1986. с. 49-55. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института ; 620, Полупроводниковые материалы ; 7).