Электрофизические свойства тонкопленочных барьеров шоттки на основе сульфида кадмия, изготовленного методом химической пульверизации
ilmumiskoht
Таллин
kirjastus/väljaandja
ilmumisaasta
leheküljed
с. 49-55
seeria-sari
seeria variantpealkiri
TPI Toimetised ; 620
Труды ТПИ ; 620
märkused
Библиогр. : 6 назв
keel
vene
Крункс, М.И., Мелликов, Э.Я., Сейлентхал, М.И. Электрофизические свойства тонкопленочных барьеров шоттки на основе сульфида кадмия, изготовленного методом химической пульверизации // Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов. Таллин : Таллинский политехнический институт, 1986. с. 49-55. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института ; 620, Полупроводниковые материалы ; 7).