Физические аспекты учета влияния эффекта электронно-дырочного рассеяния при математическом моделировании полупроводниковых структур

author
location of publication
Таллин
year of publication
pages
с. 166-174
series variant title
TPI Toimetised ; 674
Труды ТПИ ; 674
notes
Библиогр. : 11 назв
language
vene
Велмре, Э.Э. Физические аспекты учета влияния эффекта электронно-дырочного рассеяния при математическом моделировании полупроводниковых структур // Машинное проектирование электронных устройств и систем. Таллин : Таллинский политехнический институт, 1988. с. 166-174. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института = Transactions of Tallinn Technical University ; 674, Электротехника и автоматика ; 35).