Исследование p-n-переходов на основе 4H-SiC, изготовленных имплантацией бора, методом нестационарной емкостной спектроскопии
statement of authorship
П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, O. Korol’kov, N. Sleptsuk
journal volume number month
Том 45, 10
year of publication
pages
с. 1358-1362 : ил
subject term
notes
Библиогр.: 13 назв
review
Summary: DLTS study of 4H-SiC based p−n junctions fabricated by boron implantation
language
vene
Иванов, П.А., Потапов, А.С., Самсонова, Т.П., Korolkov, O., Sleptsuk, N. Исследование p-n-переходов на основе 4H-SiC, изготовленных имплантацией бора, методом нестационарной емкостной спектроскопии // Физика и техника полупроводников (2011) Том 45, 10, с. 1358-1362 : ил.