Исследование p-n-переходов на основе 4H-SiC, изготовленных имплантацией бора, методом нестационарной емкостной спектроскопии
vastutusandmed
П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, O. Korol’kov, N. Sleptsuk
allikas
ajakirja aastakäik number kuu
Том 45, 10
ilmumisaasta
leheküljed
с. 1358-1362 : ил
märksõna
märkused
Библиогр.: 13 назв
retsensioon
Summary: DLTS study of 4H-SiC based p−n junctions fabricated by boron implantation
keel
vene
Иванов, П.А., Потапов, А.С., Самсонова, Т.П., Korolkov, O., Sleptsuk, N. Исследование p-n-переходов на основе 4H-SiC, изготовленных имплантацией бора, методом нестационарной емкостной спектроскопии // Физика и техника полупроводников (2011) Том 45, 10, с. 1358-1362 : ил.