Stress relaxation mechanism by strain in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties
autor
Kropman, Daniel
Seeman, Viktor
Dolgov, Sergei
Heinmaa, Ivo
Medvid, Artur
vastutusandmed
Daniel Kropman, Viktor Seeman, Sergei Dolgov, Ivo Heinmaa, Artur Medvid
allikas
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
kirjastus/väljaandja
WILEY-VCH
ajakirja aastakäik number kuu
vol. 13, 10-12
ilmumisaasta
2016
leheküljed
p. 790 - 792
leitav
https://doi.org/10.1002/pssc.201600051
märksõna
liidesed
oksiidid
räni
pinged (füüsika)
laserkiirgus
võtmesõna
EPR
interface
SEM
Si-SiO2 system
stress relaxation
ISSN
1862-6351
märkused
Bibliogr.: 5 ref
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
klassifikaator
1.1
Scopus
https://www.scopus.com/sourceid/4700152710
https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-84992626289&origin=resultslist&sort=plf-f&src=s&sid=cdfc52fb027a72eafe4f96d734f78c62&sot=b&sdt=b&s=DOI%2810.1002%2Fpssc.201600051%29&sl=27&sessionSearchId=cdfc52fb027a72eafe4f96d734f78c62&relpos=0
WOS
https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000399448900017
kategooria (üld)
Physics and astronomy
Füüsika ja astronoomia
kategooria (alam)
Physics and astronomy. Condensed matter physics
Füüsika ja astronoomia. Kondenseeritud aine füüsika
kvartiil
Q3
TTÜ struktuuriüksus
materjali- ja keskkonnatehnoloogia instituut
keel
inglise