Физические аспекты учета влияния эффекта электронно-дырочного рассеяния при математическом моделировании полупроводниковых структур
autor
vastutusandmed
Э.Э. Велмре
ilmumiskoht
Таллин
kirjastus/väljaandja
ilmumisaasta
leheküljed
с. 166-174 : ил
seeria-sari
seeria variantpealkiri
leitav
ISSN
0136-3549
3134-3823
märkused
Библиогр. : 11 назв
Abstract: Some physical aspects of taking into account the effect of electron-hole scattering in mathematical modelling of semiconductor structures
Kokkuvõte: Füüsikalisi aspekte elektron-aukhajumise arvestamisel pooljuhtstruktuuride matemaatilisel modelleerimisel
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
TTÜ struktuuriüksus
keel
vene
klassifikaator
Велмре, Э.Э. Физические аспекты учета влияния эффекта электронно-дырочного рассеяния при математическом моделировании полупроводниковых структур // Машинное проектирование электронных устройств и систем. Таллин : Таллинский политехнический институт, 1988. с. 166-174 : ил. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института = Transactions of Tallinn Technical University ; 674, Электротехника и автоматика ; 35).