Физические аспекты учета влияния эффекта электронно-дырочного рассеяния при математическом моделировании полупроводниковых структур
author
statement of authorship
Э.Э. Велмре
location of publication
Таллин
publisher
year of publication
pages
с. 166-174 : ил
series
series variant title
url
ISSN
0136-3549
3134-3823
notes
Библиогр. : 11 назв
Abstract: Some physical aspects of taking into account the effect of electron-hole scattering in mathematical modelling of semiconductor structures
Kokkuvõte: Füüsikalisi aspekte elektron-aukhajumise arvestamisel pooljuhtstruktuuride matemaatilisel modelleerimisel
scientific publication
teaduspublikatsioon
TalTech department
language
vene
TalTech subject term
classifier
Велмре, Э.Э. Физические аспекты учета влияния эффекта электронно-дырочного рассеяния при математическом моделировании полупроводниковых структур // Машинное проектирование электронных устройств и систем. Таллин : Таллинский политехнический институт, 1988. с. 166-174 : ил. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института = Transactions of Tallinn Technical University ; 674, Электротехника и автоматика ; 35).