Interaction of point defects with impurities in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties
autor
Kropman, Daniel
Kärner, Tiit
Dolgov, Sergei
Heinmaa, Ivo
Laas, Tõnu
Londos, Charalampos
vastutusandmed
Daniel Kropman, Tiit Kärner, Sergei Dolgov, Ivo Heinmaa, Tõnu Laas, and Charalampos A. Londos
allikas
Physica status solidi (c)
ajakirja aastakäik number kuu
Vol. 8, 3
ilmumisaasta
2011
leheküljed
p. 694-696 : ill
leitav
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609009014564
märksõna
punktdefektid
elektroni paramagnetresonantsspektroskoopia
tuumamagnetresonants
räni
ränioksiid
võtmesõna
Si-SiO2 interface
point defects
hydrogen impurities
EPR
NMR
ISSN
1610-1642
märkused
Bibliogr.: 6 ref
keel
inglise