Study of surface defects in 4H-SiC Schottky diodes using a scanning Kelvin probe
autor
Mizsei, Janos
Korolkov, Oleg
Toompuu, Jana
Rang, Toomas
vastutusandmed
J. Mizsei, O. Korolkov, J. Toompuu, T. Rang
allikas
The 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials : abstract book : St. Petersburg Russia, 2-6 September, 2012
ilmumiskoht
St. Petersburg
kirjastus/väljaandja
Trans Tech Publications
ilmumisaasta
2012
leheküljed
2 p. : ill
konverentsi nimetus, aeg
9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 2-6 September, 2012
konverentsi toimumispaik
St. Petersburg, Russia
märksõna
Schottky barjäär
lekked
dislokatsioon (füüsika)
märkused
Bibliogr.: 5 ref
TTÜ struktuuriüksus
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
keel
inglise