Toggle navigation
Publikatsioonid
Profiilid
Uurimisrühmad
Registrid
Abi ja info
Switch to English
Intranet
Publikatsioonid
Profiilid
Uurimisrühmad
Registrid
Abi ja info
English
Intranet
Andmebaasid
Publikatsioonid
Otsing
Valitud kirjed
0
Schottky barjäär (märksõna)
Kõikidelt väljadelt
Allika otsing
Autori otsing
Märksõna otsing
Pealkirja otsing
algab
sisaldab
täpne vaste
Kõikidelt väljadelt
Allika otsing
Autori otsing
Märksõna otsing
Pealkirja otsing
algab
sisaldab
täpne vaste
—
Kõikidelt väljadelt
Allika otsing
Autori otsing
Märksõna otsing
Pealkirja otsing
algab
sisaldab
täpne vaste
—
Kõikidelt väljadelt
Allika otsing
Autori otsing
Märksõna otsing
Pealkirja otsing
algab
sisaldab
täpne vaste
—
Kõikidelt väljadelt
Allika otsing
Autori otsing
Märksõna otsing
Pealkirja otsing
algab
sisaldab
täpne vaste
—
Lisa tingimus
Liitotsing
filter
Tühista
×
teaviku laadid
raamat
..
artikkel ajakirjas
..
artikkel ajalehes
..
artikkel kogumikus
..
dissertatsioon
..
Open Access
..
Teaduspublikatsioon
..
aasta
ilmumisaasta
Toon andmeid..
autor
Toon andmeid..
TTÜ struktuuriüksus
Toon andmeid..
märksõna
Toon andmeid..
seeria-sari
Toon andmeid..
tema kohta
Toon andmeid..
võtmesõna
Toon andmeid..
Tühista
Kirjeid leitud
31
Vaata veel..
(2/6)
Ekspordi
ekspordi kõik päringu tulemused
(31)
Salvesta TXT fail
Salvesta PDF fail
prindi
Märgitud kirjetega toimetamiseks ava
valitud kirjed
kuva
Bibliokirje
Lühikirje
reasta
autor kasvavalt
autor kahanevalt
ilmumisaasta kasvavalt
ilmumisaasta kahanevalt
pealkiri kasvavalt
pealkiri kahanevalt
1
artikkel kogumikus
Analysis of barrier inhomogeneities of P-type Al/4H-SiC schottky barrier diodes
Ziko, Mehadi Hasan
;
Koel, Ants
;
Rang, Toomas
;
Toompuu, Jana
Silicon Carbide and Related Materials 2019 : 18th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019), Kyoto, Japan, September 29 - October 4, 2019
2020
/
p. 960-972
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.960
artikkel kogumikus
2
dissertatsioon
Characterization of Interfaces Between the Metal Film and Silicon Carbide Semiconductor = Metallkontakti ja ränikarbiidi vahelise liidespinna karakteriseerimine
Ziko, Mehadi Hasan
2021
https://digikogu.taltech.ee/et/Item/34be534c-63e8-4013-b271-eaf1a7cb22e7
https://www.ester.ee/record=b5471196*est
dissertatsioon
3
artikkel kogumikus
Comparative characteristics of diffusion-welded high-voltage stacks and connected in series Schottky diodes
Sleptšuk, Natalja
;
Korolkov, Oleg
;
Land, Raul
;
Toompuu, Jana
;
Annus, Paul
;
Rang, Toomas
BEC 2016 : 2016 15th Biennial Baltic Electronics Conference : proceedings of the 15th Biennial Baltic Electronics Conference : Tallinn University of Technology, October 3-5, 2016, Tallinn, Estonia
2016
/
p. 39-42 : ill
http://www.ester.ee/record=b2150914*est
artikkel kogumikus
4
artikkel ajakirjas
Computer aided simulation of power Scottky Diodes
Rang, Toomas
;
Koel, Ants
;
Udal, Andres
Modeling, Simulation and Control
1985
/
p. 1-13
artikkel ajakirjas
5
artikkel kogumikus
Degradation of 600-V 4H-SiC Schottky diodes under irradiation with 0.9 MeV electrons
Lebedev, Alexander A.
;
Davidovskaja, Klavdia
;
Kozlovski, Vitali V.
;
Korolkov, Oleg
;
Sleptšuk, Natalja
;
Toompuu, Jana
Silicon Carbide and Related Materials 2016 : selected, peer reviewed papers from the 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016 (ECSCRM 2016), September 25-29, 2016, Halkidiki, Greece
2017
/
p. 447-450 : ill
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.897.447
artikkel kogumikus
6
artikkel kogumikus
Degragation of 600-V 4H-SiC Schottky diodes under irradation with 0,9 MeV electrons
Lebedev, Alexander A.
;
Davydovskaja, K. S.
;
Kozlovski, Vitali V.
;
Korolkov, Oleg
;
Sleptšuk, Natalja
;
Toompuu, Jana
11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials : September 25-29, 2016, Porto Carras Grand Resort, Halkidiki, Greece : [poster session]
2016
/
p. 49
artikkel kogumikus
7
artikkel kogumikus
Diffusion welding techniques for power SiC Schottky packaging
Korolkov, Oleg
;
Rang, Toomas
;
Syrkin, A.
;
Dmitriev, V.
Final programm of the 12th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials : ICSCRM2005 : Pittsburgh, PA, USA
2005
/
p. 71
artikkel kogumikus
8
artikkel kogumikus
Diffusion welding techniques for power SiC Schottky packaging
Korolkov, Oleg
;
Rang, Toomas
;
Syrkin, A.
;
Dmitriev, V.
Silicon carbide and related materials 2005
2006
/
p. 919-922
artikkel kogumikus
9
dissertatsioon
Formation of Diffusion welded Al contacts to semiconductor silicon carbide
Korolkov, Oleg
2004
dissertatsioon
10
artikkel kogumikus
High voltage diffusion‐welded stacks on the basis of SiC Schottky diodes
Korolkov, Oleg
;
Sleptšuk, Natalja
;
Annus, Paul
;
Land, Raul
;
Rang, Toomas
ICSRM 2015 : program guide
2015
/
p. 73
artikkel kogumikus
11
artikkel kogumikus
High-voltage diffusion‐welded stacks on the basis of SiC Schottky diodes
Korolkov, Oleg
;
Sleptšuk, Natalja
;
Annus, Paul
;
Land, Raul
;
Rang, Toomas
Silicon carbide and related materials 2015 (ICSRM 2015) : selected, peer reviewed papers from the 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, October 4-9, 2015, Giardini Naxos, Italy
2016
/
p. 790-794 : ill
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.858.790
artikkel kogumikus
12
artikkel ajakirjas
Interpretation of some physical parameters of SiC Schottky interfaces manufactured by diffusion welding technology
Rang, Toomas
;
Korolkov, Oleg
;
Ljutov, Jevgeni
Proceedings of the Estonian Academy of Sciences. Engineering
2004
/
3, p. 179-184
artikkel ajakirjas
13
artikkel ajakirjas
Investigation of barrier inhomogeneities and electronic transport on Al-Foil/p-Type-4H-SiCSchottky barrier Diodes using diffusion welding
Ziko, Mehadi Hasan
;
Koel, Ants
;
Rang, Toomas
;
Rashid, Muhammad Haroon
Crystals
2020
/
p. 636-647
https://doi.org/10.3390/cryst10080636
artikkel ajakirjas
14
artikkel kogumikus
Investigation of deep level centers in i- and n-layers of GaAs pin-diodes
Toompuu, Jana
;
Korolkov, Oleg
;
Sleptšuk, Natalja
;
Rang, Toomas
BEC 2014 : 2014 14th Biennial Baltic Electronics Conference : proceedings of the 14th Biennial Baltic Electronics Conference : Tallinn University of Technology, October 6-8, 2014, Tallinn, Estonia
2014
/
p. 25-28 : ill
artikkel kogumikus
15
dissertatsioon
Investigation of electrical characteristics of SiC based complementary JBS structures
Kurel, Raido
2005
https://www.ester.ee/record=b2053292*est
dissertatsioon
16
dissertatsioon
Investigation of the intermediate layer in the metal-silicon carbide contact obtained by diffusion welding = Difusioonkeevitusega valmistatud metalli ja ränikarbiidi vahelise üleminekuala vahekihi uurimine
Sleptšuk, Natalja
2011
https://www.ester.ee/record=b2692547*est
dissertatsioon
17
artikkel kogumikus
Large area 4H-SiC power Schottky diode
Rang, Toomas
;
Korolkov, Oleg
;
Pikkov, Mihhail
Proceedings of the 3rd International Conference and Exhibition Micro Materials : MicroMat2000 : April 17-19, 2000, Berlin, Germany
2000
/
p. 890-893
artikkel kogumikus
18
artikkel kogumikus
Numerical analysis of the influence of deep energy level traps in SiC Schottky structures
Koel, Ants
;
Rang, Toomas
;
Rang, Galina
High performance structure and materials. VI
2012
/
p. 439-448 : ill
artikkel kogumikus
19
artikkel kogumikus
Numerical simulation of P-type Al/4H-SiC schottky barrier diodes [Online resource]
Ziko, Mehadi Hasan
;
Koel, Ants
;
Rang, Toomas
BEC 2018 : 2018 16th Biennial Baltic Electronics Conference (BEC) : proceedings of the 16th Biennial Baltic Electronics Conference, October 8-10, 2018
2018
/
4 p.: ill
https://doi.org/10.1109/BEC.2018.8600976
artikkel kogumikus
20
artikkel ajakirjas
Numerical two-carrier simulation of the M-S (Schottky) structures
Rang, Toomas
Research report : System Theory Laboratory of Electrical Engineering, University of the Saarland
1985
/
s. 62
artikkel ajakirjas
21
artikkel ajakirjas
One-dimensional numerical simulation of complementary power Schottky structures
Rang, Toomas
IEE proceedings. Part I Solid-state and electron devices
1985
/
p. 253-256
artikkel ajakirjas
22
artikkel kogumikus
SiC JBS diode symmetrical voltage doubler represented as the diffusion-welded stack
Korolkov, Oleg
;
Land, Raul
;
Toompuu, Jana
;
Sleptšuk, Natalja
;
Rang, Toomas
Silicon carbide and related materials 2017 : ICSCRM 2017 : selected, peer reviewed papers from the 2017 International Conference on Silicon Carbide and related materials, September 17-22, 2017, Washington, DC, USA
2018
/
p. 862–865 : ill
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.924.862
artikkel kogumikus
23
artikkel kogumikus
SiC Schottky diode for power converters
Pikkov, Mihhail
;
Rang, Toomas
PEDC 2001 : Power Electronics Devices Compatibility : 2nd conference : 3-5 September 2001, Zielona Gora, Poland
2001
/
p. 156-161 : ill
artikkel kogumikus
24
artikkel kogumikus
SiC Schottky diode for use in power convertors
Pikkov, Mihhail
;
Rang, Toomas
;
Pokatilov, Andrei
BEC 2006 : 2006 International Baltic Electronics Conference : Tallinn University of Technology, October 2-4, 2006, Tallinn, Estonia : proceedings of the 10th Biennial Baltic Electronics Conference
2006
/
p. 245-246 : ill
artikkel kogumikus
25
artikkel kogumikus
SIC schottky diode rectifier bridge represented as the diffusion-welded stack
Korolkov, Oleg
;
Land, Raul
;
Sleptšuk, Natalja
;
Toompuu, Jana
;
Rang, Toomas
11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials : September 25-29, 2016, Porto Carras Grand Resort, Halkidiki, Greece : [poster session]
2016
/
p. 42
artikkel kogumikus
Kirjeid leitud 31, kuvan
1 - 25
eelmine
1
2
järgmine
võtmesõna
4
1.
Mott–Schottky plot
2.
schottky barrier diode
3.
Schottky diodes
4.
SiC Schottky diodes
märksõna
2
1.
Schottky barjäär
2.
hematoentsefaalne barjäär
×
vaste
algab
lõpeb
sisaldab
reasta
Relevantsuse alusel
kasvavalt
kahanevalt
ilmumisaasta
autor
TTÜ struktuuriüksus
märksõna
seeria-sari
tema kohta
võtmesõna
Otsing
Valikud
0
ilmumisaasta
AND
OR
NOT
autor
AND
OR
NOT
TTÜ struktuuriüksus
AND
OR
NOT
märksõna
AND
OR
NOT
seeria-sari
AND
OR
NOT
tema kohta
AND
OR
NOT
võtmesõna
AND
OR
NOT