Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев n-4H-SiC после облучения быстрыми электронами
autor
Korolkov, Oleg
Kozlovski, Vitali
Lebedev, Alexander
Sleptšuk, Natalja
Toompuu, Jana
Rang, Toomas
vastutusandmed
Корольков O.M., Козловский В.B., Лебедев A.A., Слепчук Н., Toompuu J., Rang T.
allikas
Физика и техника полупроводников
ajakirja aastakäik number kuu
вып. 7
ilmumisaasta
2019
leheküljed
с. 991-994
leitav
https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47879.9089
märksõna
ränikarbiid
kiirgus
võtmesõna
карбид кремния
облучение электронами
радиационные дефекты
отжиг
ISSN
0015-3222
märkused
Bibliogr.: 17 ref
TTÜ struktuuriüksus
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
keel
vene