prindi

A three-level voltage-source gate driver for SiC MOSFETs in synchronous rectification mode

autor
Giannakis, Andreas
Philipps, Daniel
Blinov, Andrei
Peftitsis, Dimosthenis
vastutusandmed
Andreas Giannakis, Daniel A. Philipps, Andrei Blinov, Dimosthenis Peftitsis
allikas
2023 IEEE 17th International Conference on Compatibility, Power Electronics and Power Engineering (CPE-POWERENG)
kirjastus/väljaandja
IEEE
ilmumisaasta
2023
leheküljed
6 p
konverentsi nimetus, aeg
2023 IEEE 17th International Conference on Compatibility, Power Electronics and Power Engineering (CPE-POWERENG), 14-16 June 2023
konverentsi toimumispaik
Tallinn, Estonia
leitav
https://doi.org/10.1109/CPE-POWERENG58103.2023.10227462
märksõna
pooljuhtseadised
transistorid
ülepinge (elektrotehnika)
võtmesõna
SiC MOSFET
synchronous rectification
overvoltage
gate driver
ISSN
2166-9546
ISBN
979-8-3503-0004-8
märkused
Bibliogr.: 15 ref
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
klassifikaator
3.1
TTÜ struktuuriüksus
elektroenergeetika ja mehhatroonika instituut
keel
inglise
Uurimisrühm
Jõuelektroonika uurimisrühm
Giannakis, A., Philipps, D., Blinov, A., Peftitsis, D. A three-level voltage-source gate driver for SiC MOSFETs in synchronous rectification mode // 2023 IEEE 17th International Conference on Compatibility, Power Electronics and Power Engineering (CPE-POWERENG). : IEEE, 2023. 6 p. https://doi.org/10.1109/CPE-POWERENG58103.2023.10227462