Otsing - TalTech teadusportaal

Comparison of the power losses in 1700V Si IGBT and SiC MOSFET modules including reverse conduction [Electronic resource] (pealkiri)

—

—

—

—

Lisa tingimus Liitotsing filter

Tühista

teaviku laadid

raamat ..

artikkel ajakirjas ..

artikkel ajalehes ..

artikkel kogumikus ..

dissertatsioon ..

Open Access ..

Teaduspublikatsioon ..

aasta

Toon andmeid..

Toon andmeid..

TTÜ struktuuriüksus

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Tühista

ekspordi kõik päringu tulemused (1)
Salvesta TXT fail

prindi
Märgitud kirjetega toimetamiseks ava valitud kirjed

kuva

reasta
1

artikkel kogumikus

Comparison of the power losses in 1700V Si IGBT and SiC MOSFET modules including reverse conduction [Electronic resource]Rabkowski, Jacek; Platek, TadeuszEPE'15 ECCE Europe : 8-10 September 2015, Geneva, Switzerland : 17th European Conference on Power Electronics and Applications2015 / [10] p. : ill. [USB] http://dx.doi.org/10.1109/EPE.2015.7309444

artikkel kogumikus

Kirjeid leitud 1, kuvan 1 - 1