Abashkina, S., Rimshans, J., Korolkov, V., Tabarov, T.

täiskirje prindi

Numerical calculations of transient characteristics of a vertical field effect phototransistor taking into account resistance on the gate

autor

Abashkina, S.

Rimshans, J.

Korolkov, V.I.

Tabarov, T.

vastutusandmed

Abashkina S., Rimshans J. and Korolkov V., Tabarov T

allikas

Automation, simulation & measurement : ASM'91 : 3rd biennal conference, Tallinn, October 7-11, 1991. Section S / Tallinn Technical University

ilmumiskoht

Tallinn

ilmumisaasta

1992

leheküljed

p. 83-88: ill

märkused

Bibl. 3 ref

retsensioon

Kokkuvõte: Vertikaalse foto-väljatransistori siirdekarakteristikute numbriline modelleerimine koos tüürahela takistuse arvestamisega

keel

inglise

Märksõnad ja võtmesõnad

märksõna

transistorid

siirdeprotsessid

mahtuvus (elektrotehnika)

elektritakistus

arvutusmeetodid

Abashkina, S., Rimshans, J., Korolkov, V., Tabarov, T. Numerical calculations of transient characteristics of a vertical field effect phototransistor taking into account resistance on the gate // Automation, simulation & measurement : ASM'91 : 3rd biennal conference, Tallinn, October 7-11, 1991. Section S / Tallinn Technical University. Tallinn, 1992. p. 83-88: ill.