prindi

Characterization of deep level traps in semiconductor structures using numerical experiments

autor
Koel, Ants
Rang, Toomas
Rang, Galina
vastutusandmed
A. Koel, T. Rang & G. Rang
allikas
Materials characterization VII
ilmumiskoht
Southampton
kirjastus/väljaandja
WIT Press
ilmumisaasta
2015
leheküljed
p. 253-261 : ill
seeria-sari
WIT transactions on engineering sciences ; 90
märksõna
pooljuhtdioodid
galliumarseniid
matemaatilised mudelid
spektroskoopia
võtmesõna
numerical simulation
deep level traps
GaAs PiN diode
ISSN
1746-4471
ISBN
978-1-84564-948-7
märkused
Bibliogr.: 3 ref
TTÜ struktuuriüksus
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
keel
inglise
Koel, A., Rang, T., Rang, G. Characterization of deep level traps in semiconductor structures using numerical experiments // Materials characterization VII. Southampton : WIT Press, 2015. p. 253-261 : ill. (WIT transactions on engineering sciences ; 90).