prindi

Numerical investigation of SiC devices performance considering the incomplecte dopant ionization

autor
Velmre, Enn
Udal, Andres
vastutusandmed
A.Udal, E.Velmre
allikas
Silicon carbide and related materials 2005
ilmumiskoht
[S.l.]
kirjastus/väljaandja
Trans Tech Publications
ilmumisaasta
2006
leheküljed
p. 1383-1386
leitav
https://www.scientific.net/MSF.527-529.1383
märksõna
ränikarbiid
seadmed
jõudlus (informaatika)
ionisatsioon
temperatuur
ISBN
0-87849-425-1
märkused
(Materials Science Forum ; 527/529)
keel
inglise
Udal, A., Velmre, E. Numerical investigation of SiC devices performance considering the incomplecte dopant ionization // Silicon carbide and related materials 2005. [S.l.] : Trans Tech Publications, 2006. p. 1383-1386. https://www.scientific.net/MSF.527-529.1383