К выбору конструкции фоточувствительных р-п переходов на основе антимонида индия
vastutusandmed
А.А. Гаврилов, Ю.В. Данилов, Г.А. Качурин, А.Л. Мере
ilmumiskoht
Таллин
kirjastus/väljaandja
ilmumisaasta
leheküljed
с. 105-112 : илл
seeria-sari
seeria variantpealkiri
leitav
ISSN
0136-3549
0320-3395
märkused
Библиогр. : 11 назв
Summary: The choice of the construction of the photosensitive p-n junctions on InSb
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
TTÜ struktuuriüksus
keel
vene
märksõna
TTÜ märksõna
klassifikaator
Гаврилов, А.А., Данилов, Ю.В., Качурин, Г.А., Мере, А.Л. К выбору конструкции фоточувствительных р-п переходов на основе антимонида индия // Физическая химия соединений AIIBVI. Таллин : Таллинский политехнический институт, 1981. с. 105-112 : илл. (Tallinna Polütehnilise Instituudi toimetised = Труды Таллинского политехнического института ; 515, Полупроводниковые материалы ; 4).