Enhancement of photoluminescence of GaAsBi quantum wells by parabolic design of AlGaAs barriers

autor
Pukiene, Simona
Jasinskas, A.
vastutusandmed
S Pūkienė, M Karaliūnas, A Jasinskas, E Dudutienė, B Čechavicius, J Devenson, R Butkutė, A Udal and G Valušis
allikas
ajakirja aastakäik number kuu
vol. 30, 45
ilmumisaasta
leheküljed
art. 455001, 11 p. : ill
märksõna
võtmesõna
GaAsBi
single
multiple
parabolic barriers
carrier localization
AlGaAs
ISSN
0957-4484
märkused
Bibliogr.: 44 ref
TTÜ struktuuriüksus
keel
inglise
Pūkienė, S., Karaliūnas, M., Jasinskas, A., Udal, A. et al. Enhancement of photoluminescence of GaAsBi quantum wells by parabolic design of AlGaAs barriers // Nanotechnology (2019) vol. 30, 45, art. 455001, 11 p. : ill.