Nano- and Micro-Scale simulations of Ge/3C-SiC and Ge/4H-SiC NN-heterojunction diodes
vastutusandmed
Muhammad Haroon Rashid, Ants Koel, Toomas Rang
allikas
ilmumiskoht
Zürich
kirjastus/väljaandja
ilmumisaasta
leheküljed
p. 490-496
seeria-sari
konverentsi nimetus, aeg
18th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019), September 29 - October 4, 2019
konverentsi toimumispaik
Kyoto, Japan
märksõna
kvartiil
kategooria (üld)
kategooria (alam)
ISSN
1662-9752
märkused
Bibliogr.: 16 ref
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
klassifikaator
TTÜ struktuuriüksus
keel
inglise
Rashid, M.H., Koel, A., Rang, T. Nano- and Micro-Scale simulations of Ge/3C-SiC and Ge/4H-SiC NN-heterojunction diodes // Silicon Carbide and Related Materials 2019 : 18th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019), Kyoto, Japan, September 29 - October 4, 2019, Materials science forum. Zürich : Trans Tech Publications, 2020. p. 490-496. (Materials science forum ; 1004).