Bubennikov, A.N., Ishevsky, D.V. - TalTech teadusportaal

prindi

Complex simulation of punchthrough, tunneling and high-speed characteristics of scaled bipolar devices and circuits

autor

Ishevsky, D.V.

vastutusandmed

A.N.Bubennikov, D.V.Ishevsky

allikas

Automation, simulation & measurement : ASM'91 : 3rd biennal conference, Tallinn, October 7-11, 1991. Section S / Tallinn Technical University

ilmumiskoht

Tallinn

ilmumisaasta

1992

leheküljed

p. 26-31: ill

märksõna

transistorid

skaleerimine

simulaatorid

simulatsioon

märkused

Bibl. 6 ref

retsensioon

Kokkuvõte: Skaleeritud bipolaarseadiste ja -lülituste läbitorke, tunnel- ja kiiretoimelisuse karakteristikute kompleksne simuleerimine

keel

inglise

Bubennikov, A.N., Ishevsky, D.V. Complex simulation of punchthrough, tunneling and high-speed characteristics of scaled bipolar devices and circuits // Automation, simulation & measurement : ASM'91 : 3rd biennal conference, Tallinn, October 7-11, 1991. Section S / Tallinn Technical University. Tallinn, 1992. p. 26-31: ill.