prindi

Analysis of deep level centers in GaAs pin-diode structures

autor
Korolkov, Oleg
Toompuu, Jana
Rang, Toomas
vastutusandmed
O. Korolkov, J. Toompuu, T. Rang
allikas
Elektronika ir elektrotechnika = Electronics and electrical engineering
ajakirja aastakäik number kuu
Vol. 19, No. 10
ilmumisaasta
2013
leheküljed
[4 p. ] : ill
märksõna
pooljuhtseadised
galliumarseniid
pooljuhtdioodid
relaksatsioon (füüsika)
võtmesõna
gallium arsenide
pin-diodes
capacity relaxation method
deep levels
ISSN
1392-1215
2029-5731 (online)
märkused
Bibliogr.: 11 ref
TTÜ struktuuriüksus
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
keel
inglise
Korolkov, O., Toompuu, J., Rang, T. Analysis of deep level centers in GaAs pin-diode structures // Elektronika ir elektrotechnika = Electronics and electrical engineering (2013) Vol. 19, No. 10, [4 p. ] : ill.