Stress relaxation mechanism by strain in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties
autor
Kropman, Daniel
Mellikov, Enn
Kärner, Tiit
Laas, Tõnu
Medvid, Arthur
Onufrijevs, Pavels
Dauksta, Edvins
vastutusandmed
Daniel Kropman, Enn Mellikov, Tiit Kärner, Tõnu Laas, Arthur Medvid, Pavels Onufrijevs, Edvins Dauksta
allikas
Solid state phenomena
ajakirja aastakäik number kuu
Vol. 178/179
ilmumisaasta
2011
leheküljed
p. 259-262
leitav
https://globaljournals.org/GJSFR_Volume17/1-Stresses-Relaxation-Mechanism.pdf
märksõna
räniühendid
liidesed
pinged (füüsika)
relaksatsioon (füüsika)
elektroni paramagnetresonantsspektroskoopia
võtmesõna
EPR
point defect
Si-SiO2-Si3N4 interface
stress relaxation
ISSN
1012-0394
keel
inglise