Nanoscale and microscale simulations of N-N junction heterostructures of 3C-4H silicon carbide
autor
vastutusandmed
Haroon Rashid, Ants Koel, Toomas Rang, Reto Gähwiler, Martin Grosberg & Rauno Jõemaa
ilmumiskoht
Southampton
kirjastus/väljaandja
ilmumisaasta
leheküljed
p. 235-248 : ill
seeria-sari
konverentsi nimetus, aeg
8th International Conference on Computational Methods and Experiments in Materials Characterisation, 21-23 June, 2017
konverentsi toimumispaik
Tallinn, Estonia
ISSN
1746-4471
ISBN
978-1-78466-197-7
märkused
Bibliogr.: 24 ref
Open Access
Open Access
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
TTÜ struktuuriüksus
keel
inglise
võtmesõna
transmission spectrum
projected device density of states (PDDOS)
Rashid, M.H., Koel, A., Rang, T., Gähwiler, R., Grosberg, M., Jõemaa, R. Nanoscale and microscale simulations of N-N junction heterostructures of 3C-4H silicon carbide // Materials and contact characterisation VIII. Southampton : WIT Press, 2017. p. 235-248 : ill. (WIT transactions on engineering sciences ; 116).