prindi

Numerical simulation of P-type Al/4H-SiC Schottky barrier diodes [Online resource]

autor
Ziko, Mehadi Hasan
Koel, Ants
Rang, Toomas
vastutusandmed
Mehadi Hasan Ziko, Ants Koel, Toomas Rangs
allikas
BEC 2018 : 2018 16th Biennial Baltic Electronics Conference (BEC) : proceedings of the 16th Biennial Baltic Electronics Conference, October 8-10, 2018
kirjastus/väljaandja
IEEE
ilmumisaasta
2018
leheküljed
4 p.: ill
konverentsi nimetus, aeg
16th Biennial Baltic Electronics Conference (BEC), October 8-10, 2018
konverentsi toimumispaik
Tallinn, Estonia
leitav
https://doi.org/10.1109/BEC.2018.8600976
märksõna
ränikarbiid
Schottky barjäär
temperatuuri toime
võtmesõna
silicon carbide
schottky barrier diode
defects
al contact
ISSN
1736-3705
ISBN
978-1-5386-7313-3
märkused
Bibliogr.: 18 ref
TTÜ struktuuriüksus
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
keel
inglise
Uurimisrühm
Kognitiivelektroonika kiiplaborite uurimisgrupp
Kognitroonika teaduslabor
Ziko, M.H., Koel, A., Rang, T. Numerical simulation of P-type Al/4H-SiC Schottky barrier diodes [Online resource] // BEC 2018 : 2018 16th Biennial Baltic Electronics Conference (BEC) : proceedings of the 16th Biennial Baltic Electronics Conference, October 8-10, 2018. : IEEE, 2018. 4 p.: ill. https://doi.org/10.1109/BEC.2018.8600976