Numerical calculations of transient characteristics of a vertical field effect phototransistor taking into account resistance on the gate
autor
vastutusandmed
Abashkina S., Rimshans J. and Korolkov V., Tabarov T
ilmumiskoht
Tallinn
kirjastus/väljaandja
ilmumisaasta
leheküljed
p. 83-88: ill
konverentsi nimetus, aeg
Automation, simulation & measurement : 3rd biennal conference : October 7-11, 1991 = Automatiseerimine, modelleerimine ja mõõtmine : 3. rahvusvaheline konverents
konverentsi toimumispaik
Tallinn
märkused
Bibl.: 3 ref
Kokkuvõte: Vertikaalse foto-väljatransistori siirdekarakteristikute numbriline modelleerimine koos tüürahela takistuse arvestamisega
keel
inglise
Abashkina, S., Rimshans, J., Korolkov, V., Tabarov, T. Numerical calculations of transient characteristics of a vertical field effect phototransistor taking into account resistance on the gate // Automation, simulation & measurement : 3rd biennal conference : Tallinn, Estonia, October 7-11, 1991. Section S, Simulation = Automatiseerimine, modelleerimine ja mõõtmine : 3. rahvusvaheline konverents / Tallinna Tehnikaülikool. Tallinn : Tallinna Tehnikaülikool, 1992. p. 83-88: ill.