Low-temperature annealing of lightly doped n-4H-SiC layers after irradiation with fast electrons
autor
vastutusandmed
O.M. Korolkov, V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, N. Sleptsuk, J. Toompuu, T. Rang
allikas
kirjastus/väljaandja
ajakirja aastakäik number kuu
vol. 53, 7
ilmumisaasta
leheküljed
p. 975−978
ISSN
1063-7826
märkused
Bibliogr.: 14 ref
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
keel
inglise
klassifikaator
kvartiil
TTÜ struktuuriüksus
Korolkov, O., Kozlovski, V., Lebedev, A., Sleptsuk, N., Toompuu, J., Rang, T. Low-temperature annealing of lightly doped n-4H-SiC layers after irradiation with fast electrons // Semiconductors (2019) vol. 53, 7, p. 975−978.