TalTech publikatsioonid
pealdis Velmre, E., Udal, A.
maakood ch
keel inglise
autor Velmre, Enn
Udal, Andres
pealkiri A theoretical study of electron drift mobility anisotropy in n-type 4H- and 6H-SiC
vastutusandmed E.Velmre, A.Udal
allikas Proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999 (ICSCRM'99) : Research Triangle Park, North-Carolina, USA, Oct. 10-15, 1999. Vol. 1
ilmumiskoht [S. l.]
kirjastus/väljaandja Trans Tech Publications
ilmumisaasta 2000
leheküljed p. 725-728
märksõna ränikarbiid
elektronid
anisotroopia