Searching - TalTech Research Portal

display

sort

1

journal article

Analysis of deep level centers in GaAs pin-diode structuresKorolkov, Oleg; Toompuu, Jana; Rang, ToomasElektronika ir elektrotechnika = Electronics and electrical engineering2013 / [4 p. ] : ill

journal article

2

book article

Characterization of deep level traps in semiconductor structures using numerical experimentsKoel, Ants; Rang, Toomas; Rang, GalinaMaterials characterization VII2015 / p. 253-261 : ill

book article

3

book article

Characterization of the temperature dependent behavior of snappy phenomenon by the switching-off of GaAs power diode structuresKoel, Ants; Rang, Toomas; Rang, GalinaHeat transfer XIII : simulation and experiments in heat and mass transfer2014 / p. 439-449 : ill

book article

4

dissertation

Development and optimisation of modelling methods and algorithms for terahertz range radiation sources based on quantum well heterostructures = Kvantaukudega heterostruktuuridel põhinevate terahertskiirgurite modelleerimismeetodite ja -algoritmide arendus ja optimeerimineReeder, Reeno2014 https://www.ester.ee/record=b3084247*est

dissertation

5

book article

GaAs based diffusion welded high voltage diode stacks [Electronic resource]Toompuu, Jana; Korolkov, Oleg; Sleptšuk, Natalja; Voitovitš, Viktor; Rang, ToomasIEEE International Conference on Semiconductor Electronics CD-ROM Proceedings2010 / [4] p https://ieeexplore.ieee.org/document/5549505

book article

6

book article

Investigation of deep level centers in i- and n-layers of GaAs pin-diodesToompuu, Jana; Korolkov, Oleg; Sleptšuk, Natalja; Rang, ToomasBEC 2014 : 2014 14th Biennial Baltic Electronics Conference : proceedings of the 14th Biennial Baltic Electronics Conference : Tallinn University of Technology, October 6-8, 2014, Tallinn, Estonia2014 / p. 25-28 : ill

book article

7

book article

Method of samples preparation intended for research of deep centers in i-, n-, and p-layers of GaAs p⁺-pin-n⁺ structures and result of analysisToompuu, Jana; Sleptšuk, Natalja; Korolkov, Oleg; Rang, ToomasBEC 2016 : 2016 15th Biennial Baltic Electronics Conference : proceedings of the 15th Biennial Baltic Electronics Conference : Tallinn University of Technology, October 3-5, 2016, Tallinn, Estonia2016 / p. 35-38 : ill http://www.ester.ee/record=b2150914*est

book article

8

journal article EST / journal article ENG

Spectral properties of incoherent terahertz torch based on parabolic Ga(As,Bi)/AlGaAs quantum wellsKaraliunas, Mindaugas; Pagalys, Justas; Jakštas, Vytautas; Norkus, Ričardas; Urbanowicz, Andrzej; Devenson, Jan; Devenson, Renata; Udal, Andres; Valušis, GintarasTerahertz Emitters, Receivers, and Applications X : SPIE Optical Engineering + Applacations, 11-15 August 2019, San Diego, California, United States : proceedings SPIE digital library2019 https://doi.org/10.1117/12.2528428 Conference proceeding at Scopus Article at Scopus Article at WOS

journal article EST / journal article ENG

9

book article

Влияние дефектов эпитаксиального слоя на напряжение пробоя высоковольтных арсенид-галлиевых структурAškinazi, G.; Zolotarevskaja, O.; Meiler, BorissПолупроводники и гетеропереходы : сборник статей1978 / с. 64-66 : илл https://www.ester.ee/record=b1262177*est

book article

10

book article

Влияние распределения примеси на прямую ВАХ арсенидгаллиевых силовых диодных структурVelmre, Enn; Freidin, BorisПолупроводниковые приборы : сборник статей1982 / с. 32-37 https://www.ester.ee/record=b1356516*est

book article

11

journal article

Коэффициенное ударное ионизацеи носителей заряда в <100> арсениде галлияRang, Toomas; Puusepp, MärtЭлектронная техника. Серия 2, Полупроводниковые приборы : научно-технический сборник1987 / с. 98-100 https://www.ester.ee/record=b2160501*est

journal article

12

book article

Межфазное взаимодействие и ориентационные соотношения в системе никкель - арсенид галлияMeiler, BorissЭлектрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов1988 / с. 3-12

book article

13

journal article

Межфазное взаимодействие на контакте Ni-Si и Ni-GaAsMeiler, BorissПоверхность : физика, химия, механика1985 / с. 62-67 : илл https://www.ester.ee/record=b2149829*est

journal article

14

journal article

Неизотермическая динамическая прямая ветвь вольт-амперной характеристики силовых арсенид-галлиевых диодовAškinazi, German; Velmre, Enn; Logussov, A.; Timofejev, V.; Freidin, Boris; Šumilin, V.Eesti NSV Teaduste Akadeemia toimetised. Füüsika. Matemaatika = Известия Академии наук Эстонской ССР. Физика. Математика = Proceedings of Academy of Sciences of the Estonian SSR. Physics. Mathematics1984 / с. 48-56 https://www.ester.ee/record=b1264310*est

journal article

15

book article

Рост и морфология толстых слоев арсенида галлия, выращенных жидкофазной эпитаксиейMeiler, Boriss; Zolotarevski, L.; Paat, Aadu; Orenštein, I.Полупроводники и гетеропереходы : сборник статей1987 / с. 24-26 https://www.ester.ee/record=b1262177*est

book article

16

book article

Сравнение статических параметров диодных структур из GaAs и InPVelmre, Enn; Nurste, Ivar; Freidin, BorisТезисы докладов Республиканской научно-технической конференции "Современные методы и устройства радиоэлектронного оборудования", посвященной Дню радио. Секция: полупроводниковые приборы1981 / с. 30-31 https://www.ester.ee/record=b1310801*est

book article

17

book article

Формирование морфологии и структуры толстых автоэпитакисальных слоев арсенида галлия при росте из раствора-расплаваZolotarevski, L.; Meiler, Boriss; Orenštein, I.; Paat, AaduТехнология быстродействующих силовых полупроводниковых приборов : сборник статей1989 / с. 192-197 : илл https://www.ester.ee/record=b1267766*est

book article

18

journal article

Численное моделирование неизотермических переходных процессов в арсенид-галлиевых диодных структурахVelmre, Enn; Freidin, BorisИзвестия высших учебных заведений : международный ежемесячный научно-технический журнал. Радиоэлектроника1984 / с. 86-88 https://www.ester.ee/record=b2768571*est

journal article

19

journal article

Численное моделирование переходных процессов в арсенид-галлиевых диодных структурахVelmre, Enn; Freidin, BorisИзвестия высших учебных заведений : международный ежемесячный научно-технический журнал. Радиоэлектроника1983 / с. 93-95 https://www.ester.ee/record=b2768571*est

journal article

20

book article

Численный анализ неизотермических переходных процессов в арсенидгаллиевых диодных структурахAškinazi, German; Velmre, Enn; Kivi, U.; Timofejev, V.; Freidin, Boris; Šumilin, V.Полупроводниковые гетеропереходы : тезисы докладов II республиканской конференции, Эльва 24-26 ноября 1982 г.1982 / с. 15 https://www.ester.ee/record=b1304403*est

book article

galliumarseniid (subject term)

types of item

subject term 1