prindi

The measurement and tuning of SiC diode voltage doubler represented as diffusion-welded stack [Online resource]

autor
Toompuu, Jana
Sleptšuk, Natalja
Land, Raul
Korolkov, Oleg
Rang, Toomas
vastutusandmed
Jana Toompuu, Natalja Sleptsuk, Raul Land, Oleg Korolkov, Toomas Rang
allikas
BEC 2018 : 2018 16th Biennial Baltic Electronics Conference (BEC) : proceedings of the 16th Biennial Baltic Electronics Conference, October 8-10, 2018
kirjastus/väljaandja
IEEE
ilmumisaasta
2018
leheküljed
4 p.: ill
konverentsi nimetus, aeg
16th Biennial Baltic Electronics Conference (BEC), October 8-10, 2018
konverentsi toimumispaik
Tallinn, Estonia
leitav
https://doi.org/10.1109/BEC.2018.8600963
märksõna
ränikarbiid
vertikaalne integratsioon
keevitus
võtmesõna
silicon carbide
vertical integration
silicon carbide JBS diodes
diffusion welding
vertical integration
ISSN
1736-3705
ISBN
978-1-5386-7313-3
märkused
Bibliogr.: 4 ref
TTÜ struktuuriüksus
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
keel
inglise
Uurimisrühm
Kognitiivelektroonika kiiplaborite uurimisgrupp
Kognitroonika teaduslabor
Mõõteelektroonika uurimisrühm
Toompuu, J., Sleptšuk, N., Land, R., Korolkov, O., Rang, T. The measurement and tuning of SiC diode voltage doubler represented as diffusion-welded stack [Online resource] // BEC 2018 : 2018 16th Biennial Baltic Electronics Conference (BEC) : proceedings of the 16th Biennial Baltic Electronics Conference, October 8-10, 2018. : IEEE, 2018. 4 p.: ill. https://doi.org/10.1109/BEC.2018.8600963