Gate and base drivers for silicon carbide power transistors : an overview
vastutusandmed
Dimosthenis Peftitsis, and Jacek Rabkowski
ajakirja aastakäik number kuu
vol. 31, 10
ilmumisaasta
leheküljed
p. 7194-7213 : ill
ISSN
0885-8993
märkused
Bibliogr.: 175 ref
keel
inglise
märksõna
võtmesõna
base driver
switching performance
TTÜ struktuuriüksus
Peftitsis, D., Rabkowski, J. Gate and base drivers for silicon carbide power transistors : an overview // IEEE transactions on power electronics (2016) vol. 31, 10, p. 7194-7213 : ill.