Numerical analysis of the influence of deep energy level traps in SiC Schottky structures
vastutusandmed
A. Koel, T. Rang & G. Rang
allikas
High performance structure and materials. VI
ilmumiskoht
Southampton
kirjastus/väljaandja
ilmumisaasta
leheküljed
p. 439-448 : ill
seeria-sari
WIT transactions on the built environment ; 124
ISSN
1743-3509
ISBN
978-1-84564-596-0
märkused
Bibliogr.: 16 ref
TTÜ struktuuriüksus
keel
inglise
märksõna
võtmesõna
metal semiconductor contacts
interface layer
deep energy levels
DLTS method
Koel, A., Rang, T., Rang, G. Numerical analysis of the influence of deep energy level traps in SiC Schottky structures // High performance structure and materials. VI. Southampton : WIT Press, 2012. p. 439-448 : ill. (WIT transactions on the built environment ; 124).