Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев n-4H-SiC после облучения быстрыми электронами
autor
vastutusandmed
Корольков O.M., Козловский В.B., Лебедев A.A., Слепчук Н., Toompuu J., Rang T.
allikas
ajakirja aastakäik number kuu
вып. 7
ilmumisaasta
leheküljed
с. 991-994
märksõna
võtmesõna
карбид кремния
облучение электронами
радиационные дефекты
отжиг
ISSN
0015-3222
märkused
Bibliogr.: 17 ref
TTÜ struktuuriüksus
keel
vene
Корольков, O.M., Козловский, В.B., Слепчук, Н., Toompuu, J., Rang, T. et al. Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев n-4H-SiC после облучения быстрыми электронами // Физика и техника полупроводников (2019) вып. 7, с. 991-994.